In this paper, a new high step-up CURRENT-fed LLC resonant DC-DC converter with a center-tapped transformer is proposed. By selecting the switching frequency to be lower than, but near to, the series resonant frequency of the LLC resonant tank, soft-switching operation of all semiconductors, i.e., zero VOLTAGE switching (ZVS) turn-on of power MOSFETs AND zero CURRENT switching (ZCS) turn-off of diodes is achieved. This leads to lower electromagnetic interference (EMI) AND lower switching losses AND improves the converter efficiency. An interleaved structure is used at the primary side. Thus, input CURRENT ripple is smaller, AND its frequency is twice the switching frequency. Consequently, a smaller input filter is necessary in practice. The converter with 1.2 kW output power AND 760 V regulated output VOLTAGE with 80-200 V input VOLTAGE variations is simulated. The output VOLTAGE is regulated by using asymmetric pulse width modulation (APWM) at 200 kHz switching frequency. Finally, a 700-W prototype has been implemented AND experimental results are also presented to verify the simulation results.

High gain Balun-low-noise-amplifier (LNA) is proposed for tuner of digital televisions (DTVs). The proposed Balun-LNA is based on CS-CG (common-source-common-gate) structure. To improve the isolasion AND frequency response, Balun-LNA has cascode transistors before load resistors. Balun-LNA uses CURRENT-bleeding circuit to increasie transconductance of CS transistor, so that CURRENT-bleeding transistor has transconductance of N-1 times larger than transconductance of cascode transistor. Thereby, transconductance AND CURRENT of CS transistor are increased N times, as N-1 times of CURRENT pass to CURRENT-bleeding transistor. Therefore CURRENT of CG AND CS stages stay identical. Also, Balun-LNA employs a positive feedback to satisfy input impedance matching AND CG transistor has higher transconductance. By increasing transconductance of CS AND CG transistors, the proposed Balun-LNA achieves to high VOLTAGE gain. Accordingly, CG AND CS tansistors have symmetrical CURRENTs AND loads at the differential output of the proposed Balun-LNA. Symmetrical loads cause the balanced differential outputs. This proposed Balun-LNA is designed in 90-nm CMOS technology AND covers the frequency range of 40 MHz to 1GHz. This Balun-LNA achieves the VOLTAGE gain of 22.6 dB, S11 of less than -10 dB AND the Minimum NF of 5 dB. This Balun-LNA operates at the nominal supply VOLTAGE of 2.2v.

هدف: جریان های یونی دارای رفتار غیرخطی و تحریکات الکتریکی است که می تواند در کینتیک فعال یا غیرفعال شدن آنها تاثیر بگذارد. سرعت مراحل دپلاریزه کننده و هیپرپلاریزه کننده امواج تحریک کننده می تواند با تاثیر بر ویژگی های الکتروفیزیولوژیکی جریان های یونی نحوه فعالیت نورون ها را تغییر دهند. در این مطالعه اثر پتانسیل های فرمانی شبه ذوزنقه ای بر ویژگی های بیوفیزیکی کانال کلسیمی با آستانه بالا نوع L جسم سلولی نورون F1 در حلزون باغی مورد مطالعه قرار گرفت.مواد و روش ها: 8 نورون F1 با استفاده از دو شکل پتانسیل فرمانی راست گوشه و شبه ذوزنقه ای از پتانسیل های نگهدارنده 90- و 40- میلی ولت تا 90+ میلی ولت در رینگر فاقد سدیم و پتانسیل دپلاریزه شدند. سپس نورون های F1 در حضور نیفدیپین، آنتاگونیست اختصاصی و انتخابی کانال کلسیمی با آستانه بالا نوع L، با استفاده از دو شکل پتانسیلهای فرمانی کلمپ شدند.یافته ها: در رینگر فاقد سدیم و پتاسیم پتانسیلهای فرمانی شبه ذوزنقه ای در مقایسه با پتانسیل های فرمانی راست گوشه جریان کلسیمی را 36 درصد کاهش داده و ولتاژ آستانه را به طرف پتانسیل های مثبت تر سوق دادند. در حضور نیفدیپین با آنکه پتانسیل های فرمانی شبه ذوزنقه ای در مقایسه با پتانسیلهای فرمانی راست گوشه موجب مثبت تر شدن ولتاژ آستانه شدند ولی در میزان حداکثر جریان تغییری به وجود نیاوردند.نتیجه گیری: نتایج حاصل از این تحقیق نشان می دهد که هیپرپلاریزاسیون آهسته مرحله پایین رو کلمپ ولتاژ با تاثیر بر کینتیک کانال های یونی، موجب تغییر رفتار آنها می گردد. شاید بتوان با استفاده از این شکل امواج و یا اشکال دیگر به طور الکتروفیزیولوژیک و بدون استفاده از مهار کننده های شیمیایی موجب فعال و یا غیرفعال شدن انتخابی کانال های یونی شد.

این مقاله عملکرد هارمونیکی TCSC را در سیستم های قدرت بررسی کرده و یک روش مناسب جهت کنترل و محدود کردن هارمونیک ها در خط انتقال جبران شده با ادوات FACTS را ارایه می کند. این کار با اتنخاب صحیح المان های TCSC (خازن و سلف) و معرفی یک روش جدید برای تنظیم زاویه آتش طوری انجام می گیرد که حداکثر بارگذاری با تولید کم ترین هارمونیک ممکن انجام گردد. در نهایت یک TCSC نمونه طراحی، مدلسازی، شبیه سازی و مطالعه می شود. هدف اصلی این سیستم افزایش بارگذاری و درعین حال بهبود کیفیت توان می باشد که با روش کنترل مناسب TCSC پیاده گردیده است.

A High-gain, fully balanced preamplifier is presented. The proposed structure advantages flipped VOLTAGE follower scheme to achieve a compact CURRENT conveyor with very low input impedance. The presented CURRENT conveyor then is used as a core element to realize a high-gain, gm-enhanced trans-conductance amplifier. The presented amplifier is suitable for application as a preamplifier. The high gain of amplifier makes it very suitable to be configured in a feedback form to deliver a high-precision predefined or programmable amplification gain. The proposed structure draws a very low power of 150nW from a 0.6V supply VOLTAGE. The Spectre Post-layout simulations with TSMC 180nm CMOS technology have been performed. The proposed amplifier exhibits an open-loop DC gain of 141.5dB AND 3-dB frequency bANDwidth of 2.4kHz at 60dB closed-loop configuration. The load capacitance is set to be 5pF. The proposed structure also delivers high CMRR AND PSRR values of 148.3dB AND 153.7dB, respectively.

کانال های یونی عملکرد سلول در بافت های تحریک پذیری چون قلب و مغز و نیز در اندام ها و بافت های تحریک ناپذیری همچون کبد و بافت پوششی را کنترل می کنند. در تحقیق حاضر، اثر سرب بر ویژگی های الکتروفیزیولوژیک جریان های کلسیمی در غشا جسم سلولی نورون F77 حلزون باغی (Helix aspersa) مورد بررسی قرار گرفت.پتانسیل عمل و جریان های کلسیمی در حضور و عدم حضور سرب با استفاده از روش های ثبت دو میکروالکترودی CURRENT Clamp) و (VOLTAGE Clamp مورد مطالعه قرار گرفت. دو نوع جریان کلسیمی فعال شده از ولتاژهای بالا (HVA) ثبت شد: جریان حساس به نیفیدیپین و جریان مقاوم به نیفیدیپین.کاربرد خارج سلولی سرب در غلظت های 0.6 و 3 میکرومولار موجب تغییر الگوی شلیک سلول F77 شد. دامنه و طول مدت پتانسیل عمل کلسیمی نیز کاهش یافت. یافته های VOLTAGE Clamp نشان داد که بیش از %50 جریان کلسیمی نوع HVA به وسیله سرب مهار گردید. اثر مهار کنندگی سرب بر جریان کلسیمی وابسته به زمان می باشد. بر اساس نتایج حاصل می توان نتیجه گیری کرد که احتمالا سرب با تاثیر بر کانال های کلسیمی HVA به ویژه نوع L عمل می نماید

در این مقاله، با استفاده از ترانزیستورهای قدرت به عنوان سوییچ، یک اینورتر سه فازبه روش PWM ارایه شده است که در آن با بکارگیری بوبینهای جذب سه سر (راکتور)، در هر فاز آن، در مقایسه با اینورترهای معمولی با دو ترانزیستور قرار گرفته است و در آن ضمن دستیابی به جریان خروجی بالا، هارمونیکهای ولتاژ خروجی به شدت کاهش یافته و شکل موج ولتاژ خروجی به صورت پنج سطحی و به شکل موح سینوسی ایده آل نزدیکتر است. نقش اصلاح کنندگی افزایش تعداد ترانزیستورهای هر فاز در جهت افزایش مطح توان و کاهش هارمونیکهای ولتاژ خروجی با ارایه شکل موجهای زمانی، طیفهای فرکانسی و تاثیر تغییر شاخص مدولاسیون در دامنه مولفه های هارمونیکی، نشان داده شده است. در نهایت نتایج تجربی حاصله از یک طرح آزمایشگاهی ساخته شده، ارایه گردیده که کاملا نتایج تئوری را تایید می کند.