مقدمه: نیاز به روشی سریع و غیرتهاجمی برای از بین بردن موهای ناخواسته، که از نظر زیبایی یکی از مشکلات مهم تلقی می شود، منجر به استفاده از منابع نوری متنوع شده است.هدف: تعیین اثر(Intense Pulsed Light Source (IPLS بر موهای ناخواسته.روش اجرا:در این کار آزمایی بالینی باز بدون گروه شاهد، 77 ناحیه آناتومیکی مختلف در 34 بیمار مراجعه کننده به درمانگاه تخصصی پوست نوین دیدگان تهران در طی سالهای 81- 80 ، پس از ثبت اطلاعات دموگرافیک و شمارش تعداد موهای ناحیه مورد نظر، با روش IPLS با طیف انرژی 22 الی 34 ژول برسانتی متر مربع تحت درمان قرار گرفت. تعداد دفعات درمان بین 3 تا 7 جلسه بود که به فواصل 4 الی 6 هفته انجام شد. تمامی بیماران، 6 ماه پس از آخرین نوبت درمانشان پی گیری شدند و یافته ها با استفاده از آزمون paired test مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفتند.یافته ها: 6ماه پس از آخرین جلسه در 80% نواحی تحت درمان، کاهش موهای ناخواسته به میزان بیش از 50% (به طور متوسط23 ±72درصد) مشهود بود. عوارض جانبی در 10 بیمار دیده شد که خفیف و گذرا بود.نتیجه گیری: IPLS را می توان به عنوان یک روش موثر و بی خطر برای از بین بردن طولانی مدت موهای زائد در انواع مختلف پوست ها به کارگرفت.

زمینه و هدف: هدف این مطالعه بررسی ایمنی و عملکرد فناوری سی تی اسکن dual-Source در مقایسه با سی تی اسکن single-Source و آنژیوگرافی مرسوم در تشخیص و درمان بیماری عروق کرونر قلب می باشد.روش بررسی: در این مطالعه مروری نظام مند برای یافتن شواهد، بانک های اطلاعاتی Cochrane Library، MEDLINE، EMBASE،Google Scholar  و TRIP تا آوریل 2009 مورد جستجو قرار گرفتند. همچنین فهرست منابع مقالات کلیدی یافت شده و پایان نامه ها نیز مورد جستجو قرار گرفتند.یافته ها: 17 مقاله وارد مطالعه شدند که 9 مقاله در زمینه ایمنی و 12 مقاله در زمینه عملکرد فناوری بود و چهار مقاله نیز مطالبی در هر دوزمینه گزارش نموده بودند. مطالعات یافت شده نشان داد DSCT یک فناوری غیر تهاجمی است که در شرایط معمولی خطری در مورد استفاده از آن وجود ندارد و در آن میزان دوز اشعه دریافتی توسط بیماران از SSCT کمتر و از روش آنژیوگرافی مرسوم بیشتر است. متوسط حساسیت DSCT 90.4 درصد، متوسط ویژگی 82 درصد، متوسط ارزش اخباری مثبت 83 درصد و متوسط ارزش اخباری منفی 96 درصد بود. در SSCT متوسط حساسیت، ویژگی، ارزش اخباری مثبت و ارزش اخباری منفی به میزان کمی از DSCT پایین تر بود.نتیجه گیری: این فناوری در مقایسه با SSCT در مجموع به میزان کمی از حساسیت و ویژگی بیشتری برخوردار است و این دو فناوری نسبت به سایر فناوری های غیر تهاجمی از حساسیت و ویژگی بیشتری برخوردارند. البته دقت هیچکدام از این فناوری ها به اندازه ای بالا نیست که بتواند جایگزین آنژیوگرافی مرسوم شود.

اینورتر نیمه شبه-منبع امپدانسی (SqZS) با ساختار زمین مشترک و بدون ترانسفورماتور مزایای زیادی نسبت به دیگر اینورترهای تک فاز فراهم می کند. حذف جریان نشتی، چگالی انرژی زیاد، تعداد عناصر کم و قیمت پایین، آن را به یک گزینه جذاب به عنوان میکرو-اینورتر در کاربردهای فوتوولتاییک تبدیل می کند. بااین وجود، بهره ولتاژ واحد یکی از معایب اینورتر SqZS است. به عبارت دیگر اینورتر پایه SqZS قابلیت افزایش ولتاژ را ندارد و بیشینه ولتاژ AC قابل استحصال برابر با ولتاژ DC ورودی است. بنابراین در این مقاله اینورتر اصلاح شده با قابلیت افزایش ولتاژ با عنوان (MSqZS) پیشنهاد شده است. اینورتر پیشنهادی، ساختاری اصلاح شده از اینورتر پایه SqZS است که با اضافه نمودن خازن سری ضمن حفظ خاصیت زمین مشترک، امکان دستیابی به بهره ولتاژ بالاتر از یک (حالت بوست) را فراهم می گردد. مدولاسیون پهنای پالس سینوسی غیرخطی (NLSPWM) به نحوی اصلاح می شود که امکان بهره مندی از قابلیت نهفته در ساختار پایه SqZS جهت دستیابی به بهره ولتاژ بالاتر فراهم می گردد. اینورتر پیشنهادی قادر به تغذیه بارهای با ضریب توان کمتر از یک بوده و قابلیت تزریق توان راکتیو را نیز دارد. نتایج حاصل از شبیه سازی ها و آزمایش های عملی در حالت های حلقه باز و حلقه بسته، صحت عملکرد اینورتر پیشنهادی را تایید می کنند.

مطالعه جامع سد شاتکی (SBMOSFET) MOSFET ناشی از مقیاس گذاری به منظور تعیین نقش جهت گیری ویفر و پارامترهای ساختاری در عملکرد این دستگاه در فرمالیسم تابع سبز بدون تعادل انجام می شود. حد کوانتومی ارتفاع سد شاتکی موثر (SBH) را افزایش می دهد. جهت گیری (100) ارتفاع سد شاتکی موثر کمتر در مقایسه با ویفرهای (110) و (111) را نشان می دهد. در طول کانال مقیاس بدنه فوق العاده نازک SBMOSFET کاهش به رژیم در مقیاس نانو، به خصوص برای SBHs موثر زیاد، حد کوانتومی در امتداد کانال و انتشار از طریق حالات رزونانس گسسته را ایجاد کرده است. ما امکان تونل زنی رزونانس در SBMOSFET را مورد مطالعه قرار دادیم. جهت تونل زدن تشدیدی (110) و (111) در ولتاژهای ورودی بالاتر ظاهر می شوند.

آرایه های خورشیدی، پیل های سوختی و انرژی باد امروزه به عنوان منابع انرژی پاک بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. این منابع می توانند انرژی خود را به شبکه برق و یا به طور مستقیم به مصرف کننده تحویل دهند. معمولا سطح ولتاژ تولیدی در این منابع پایین است و نیاز به افزایش سطح ولتاژ می باشد. برای حل این مشکل میتوان از مبدل های سوئیچینگ استفاده نمود. این مبدل ها باید توانایی ایجاد بهره های بالای ولتاژ را داشته باشند. در این مقاله یک مبدل سوئیچینگ بهره بالا بر اساس تکنیک z-Source ارائه شده است. مبدل پیشنهادی نه تنها می تواند بهره ولتاژ را افزایش دهد بلکه در این مبدل استرس ولتاژ و جریان سوئیچ پایین است در نتیجه می توان از سوئیچ ها با مقاومت زمان روشن بودن کم استفاده کنیم که منجر به کاهش تلفات هدایتی می شود و افزایش راندمان می شود. همچنین در این مبدل از یک سلف کوپل شده استفاده شده است که منجر به کاهش حجم مدار می شود. ابتدا مودهای عملکردی مبدل پیشنهادی تحلیل شده است سپس یک نمونه آزمایشگاهی طراحی شده و صحت عملکرد با استفاده از نتایج شبیه سازی مبدل در نرم افزار PSPICE، مورد بررسی قرار گرفته است. در انتها یک نمونه ی عملی از مبدل پیشنهادی در توان 200 وات و فرکانس 100 کیلو هرتز پیاده سازی گردید که نتایج بدست آمده موید تحلیل تئوری و صحت عملکرد مبدل پیشنهادی می باشد.