نتایج جستجو

188

نتیجه یافت شد

مرتبط ترین ها

اعمال فیلتر

به روزترین ها

اعمال فیلتر

پربازدید ترین ها

اعمال فیلتر

پر دانلودترین‌ها

اعمال فیلتر

پر استنادترین‌ها

اعمال فیلتر

تعداد صفحات

19

انتقال به صفحه



فیلترها/جستجو در نتایج    

فیلترها

سال

بانک‌ها




گروه تخصصی





متن کامل


مرکز اطلاعات علمی SID1
مرکز اطلاعات علمی SID
اسکوپوس
مرکز اطلاعات علمی SID
ریسرچگیت
strs
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    0
  • شماره: 

    6
تعامل: 
  • بازدید: 

    2205
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

THERE ARE SOME METHODS TO DEPOSIT THIN FILMS ON THE INTERNAL WALLS OF CYLINDRICAL BODIES WHICH THE BEST OF THEM IS A CYLINDRICAL sputtering CATHODE. IN THIS RESEARCH, FOR THE FIRST TIME WE HAVE USED A CYLINDRICAL UN- COOLED CATHODE WITH CONSTANT OUTSIDE MAGNETRON TO DEPOSIT A THIN COPPER FILM ON THE INTERNAL WALL OF A STEEL CYLINDER. THE RATE OF DEPOSITION WAS 30 A/SEC. IN THIS EXPERIMENT, A CYLINDRICAL COPPER BAR WITH SUITABLE DIAMETER USED AS THE CATHODE AND STEEL HALLOW CYLINDER CONCENTRIC TO IT AS THE ANODE. THE BASE PRESSURE WAS 6.7×10-5MBAR AND THE ARGON PRESSURE CONSTANT AT 1.1×10-2 MBAR THROUGHOUT THE EXPERIMENT. IN THIS PAPER, FIRST THE PHYSICS OF CYLINDRICAL sputtering IS DESCRIBED IN BRIEF AND THEN THE EXPERIMENT OF THIN FILM DEPOSITION BY CYLINDRICAL MAGNETRON CATHODE AND ITS RESULTS ARE EXPLAINED. FINALLY THE CONCLUSIONS ARE EXPRESSED.

آمار یکساله:  

بازدید 2205

دانلود 0
نویسندگان: 

DEKOVEN B. | WARD P.R. | WEISS R.E.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2003
  • دوره: 

    -
  • شماره: 

    46
  • صفحات: 

    158-165
تعامل: 
  • استنادات: 

    315
  • بازدید: 

    7598
  • دانلود: 

    9195
کلیدواژه: 
چکیده: 

آمار یکساله:  

بازدید 7598

دانلود 9195 استناد 315 مرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2012
  • دوره: 

    0
  • شماره: 

    5
تعامل: 
  • بازدید: 

    1995
  • دانلود: 

    0
کلیدواژه: 
چکیده: 

THE UNDERSTANDING OF THE PARAMETERS WHICH AFFECTS THE FILM THICKNESS DISTRIBUTION AND THE TARGET BEHAVIOR DURING DEPOSITION AND THE WAY IT AFFECTS FILM PROPERTIES WILL UNEQUIVOCALLY IMPROVE COATINGS PROPERTIES. THIS PAPER EXAMINES THE DEPOSITION OF CU COATING IN BOTH HIGH AND VERY LOW RANGE OF PRESSURE, EXPERIMENTALLY. THE THICKNESS DISTRIBUTION OF THE ALUMINUM COATING HAS BEEN STUDIED USING DC MAGNETRON sputtering METHOD, TOO. THE EXPERIMENTAL RESULTS COMPARE WELL WITH THOSE OBTAINED BY THEORETICAL METHODS GIVEN THE DC MAGNETRON sputtering MODELS USED FOR THE STUDY. IN BOTH PRESSURE RANGES, FILM UNIFORMITY DEPENDS ON THE LOCATION OF THE SUBSTRATE. THE EFFECT OF PRESSURE, TARGET MATERIAL AND CURRENT ON THE SCATTERING IS ILLUSTRATED DIAGRAMMATICALLY AND THE VALIDITY OF PRESENTED MODEL IN BOTH PRESSURE RANGES ARE PROVED.

آمار یکساله:  

بازدید 1995

دانلود 0
گارگاه ها آموزشی
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    8
  • شماره: 

    3
  • صفحات: 

    1-6
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    20093
  • دانلود: 

    29570
چکیده: 

To obtain a suitable ohmic contact with the lowest resistivity, chromium (Cr) thin films were deposited on transparent conductive oxide indium tin oxide (ITO) by RF sputtering method in argon atmosphere and its electrical properties were optimized. The deposition of Cr thin film has been performed for the layers with thickness of 150, 300 and 600 nm in constant Ar gas flow of 30 SCCM.Results show that the lowest contact resistivity belongs to the layer with 600 nm thickness. Furthermore, Cr/ITO has been studied for five different RF powers of 100, 150, 200, 250 and 300 W. Experimental results show that specific contact resistance of Cr/ITO contact decreases in condition of depositing chromium thin films on ITO at higher RF powers. Analysis of SEM has been performed on the samples. The SEM micrographs show Cr thin films have smaller grains at RF power of 150 W, in comparison with other RF powers. The lowest specific contact resistivity for Cr/ITO has been obtained 4.79 10-2 X cm2 at RF power of 150 W with 600 nm thickness of chromium thin films.

آمار یکساله:  

بازدید 20093

دانلود 29570 استناد 0 مرجع 3552
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1398
  • دوره: 

    8
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    29-42
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    80
  • دانلود: 

    56
چکیده: 

در این پژوهش متراکم سازی نانو پودر منیزیای خالص با میانگین اندازه ذرات در حدود 100 نانومتر توسط زینتر قوس پلاسما با فشار اعمالی 80 مگاپاسکال و محدوده ی دمایی ℃ 1000 تا ℃ 1400 و نرخ گرمایش 50 درجه سانتیگراد بر دقیقه در زمان 20 دقیقه مورد بررسی قرار گرفت. دانسیته نمونهها با افزایش دمای زینترینگ تا دمای ℃ 1200 به طور آهسته افزایش یافت و بعد از آن با افت دانسیته و افزایش رشد دانه ها همراه بود. رشد دانهها در طی فرایند زینترینگ با تئوری کلاسیک رشد دانه ها تحلیل شد. نتایج بررسی نرخ تراکم نسبت به دما نشان داد بیشترین افزایش دانسیته در دمای ℃ 1100 اتفاق افتاده است. انرژی فعال سازی رشد دانه به دست آمده برابر با 24/452 کیلوژول بر مول به دست آمد. بیشترین میزان عبور امواج مادون قرمز در طول موج 6/5 میکرومتر برای نمونه ی زینتر شده در دمای ℃ 1200 به مدت 20 دقیقه به میزان 67 درصد به دست آمد.

آمار یکساله:  

بازدید 80

دانلود 56 استناد 0 مرجع 0
نویسندگان: 

KONOVALOV V.A. | TERPIY D.N. | KOSTENKO I.G.

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2008
  • دوره: 

    15
  • شماره: 

    1
  • صفحات: 

    144-147
تعامل: 
  • استنادات: 

    315
  • بازدید: 

    6451
  • دانلود: 

    9195
کلیدواژه: 
چکیده: 

آمار یکساله:  

بازدید 6451

دانلود 9195 استناد 315 مرجع 0
strs
نویسنده: 

RAHMANIAN REZA | MOZAFFARI SAYED AHMAD

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2014
  • دوره: 

    0
  • شماره: 

    10
تعامل: 
  • بازدید: 

    1365
  • دانلود: 

    0
چکیده: 

UREA ANALYSIS IS CONSIDERABLE INTERESTED IN CLINICAL AND AGRICULTURAL CHEMISTRY [1, 2]. IN THIS STUDY, ZINC OXIDE (ZNO) THIN FILMS WERE PREPARED BY MAGNETRON sputtering TECHNIQUE ONTO CONDUCTIVE FTO COATED GLASS, THEN UREA BIOSENSOR WAS PREPARED BY GENTLE TREATMENT OF NANO-ZNO MATRIX WITH UREASE. ZINC OXIDE HAS BEEN RECENTLY USED FOR FABRICATION OF TRANSDUCER SURFACE OF BIOSENSORS BECAUSE OF THEIR UNIQUE ABILITY TO PROMOTE ELECTRON TRANSFER BETWEEN ELECTRODE AND ACTIVE SITE OF DESIRED ENZYME. FOR ZNO DC sputtering, THE DEPOSITED THIN FILM IS FORMED BY: 1) CREATE IONIC PLASMA BY APPLYING A HIGH VOLTAGE TO A GLOW TUBE, 2) IONS BOMBARD THE TARGET MATERIAL AT THE CATHODE, 3) TARGET ATOMS ARE EJECTED (SPUTTERED) FROM THE CATHODE BY ENERGY AND MOMENTUM TRANSFER, AND 4) SPUTTERED ATOMS FROM THE TARGET ARE DEPOSITED ON TO THE SUBSTRATE (ANODE). CHARACTERIZATION OF THE SURFACE MORPHOLOGY AND ROUGHNESS OF SPUTTERED ZNO THIN FILM BY FIELD EMISSION-SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (FE-SEM) EXHIBITS CAVITIES OF NANOPOROUS FILM AS AN EFFECTIVE BIOSENSING AREA FOR ENZYME IMMOBILIZATION. STEP BY STEP MONITORING OF BIOSENSOR FABRICATION WERE PERFORMED USING ELECTROCHEMICAL METHODS SUCH AS CYCLIC VOLTAMMETRY (CV) AND ELECTROCHEMICAL IMPEDANCE SPECTROSCOPY (EIS) TECHNIQUES. FABRICATED BIOSENSOR WAS EXPLOITED FOR UREA DETERMINATION USING EIS TECHNIQUE.

آمار یکساله:  

بازدید 1365

دانلود 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    2018
  • دوره: 

    12
  • شماره: 

    4
  • صفحات: 

    309-317
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    12103
  • دانلود: 

    23534
چکیده: 

The study focused on the production of zinc oxide (ZnO) thin films as a dielectric material for use in metal– insulator– semiconductor capacitors. The objective of this study has demonstrated the frequency dependence of conductivity and capacity. Zinc oxide (ZnO) was thin films deposited by a silicon wavelength sputtering\magnetron cathode sputtering. The capacitive properties of ZnO zinc oxide were studied at room temperature. The frequency dependence of the conductivity, capacitance and the measured current– voltage (I– V) characteristics of ZnO zinc oxide thin films were studied in the frequency range from 5 kHz to 13 MHz. It is shown that the conductivity is total. Indeed, the measurement of the conductivity in alternating regime obeys the Arrhenius equation. In addition, the measured I– V characteristics of the structures studied at 10 kHz and 10 MHz clearly revealed areas of accumulation, depletion and inversion in the plots. It has been observed that AC conductivity and capacity in the ZnO thin films (ZnO) are frequency dependent. This dependence indicates that the conduction is thermally activated and maintains the correlated barrier of the charge carrier on the localized states as a function of the experimental data. The FBAR (expand) devices with the ZnO films exhibited a pronounced resonance peak centered at 537 MHz with a k2 coupling coefficient of 7%. It found therefore that the impedance matching of the FBAR could be easily achieved simply by controlling the resonance the resonator.

آمار یکساله:  

بازدید 12103

دانلود 23534 استناد 0 مرجع 0
اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1385
  • دوره: 

    16
  • شماره: 

    59 (ویژه نامه فیزیک)
  • صفحات: 

    23-28
تعامل: 
  • استنادات: 

    0
  • بازدید: 

    753
  • دانلود: 

    168
چکیده: 

شیوه و چگونگی ساخت فاز Ti2AIN در این مقاله مورد آزمایش و بررسی قرار گرفته است. لایه های نازک Ti2AIN یکی از اعضای گروه فاز Mn+1AXn (M: فلز واسطه؛ A: عنصر گروه A؛ X: کربن و یا نیتروژن؛ (n=1, 2, 3، با خواص فوق العاده سرامیکی - فلزی می باشد، رسوب گذاری لایه های نازک این نیترید سه تایی به وسیله کند و پاش مغناطیسی dc از یک هدف ترکیبی Ti-Al در فضای مخلوط گازی Al/N2 روی زیر لایه های Ti، Si و glass انجام شد. با استفاده از پراش اشعه X و میکروسکوپ نیروی اتمی AFM، ساختار کریستالی Ti2AIN(004) حاصل شده و در ادامه خصوصیات سطح نمونه های مختلف مورد بررسی قرار گرفت.

آمار یکساله:  

بازدید 753

دانلود 168 استناد 0 مرجع 0
نویسنده: 

فردمنش مهدی

اطلاعات دوره: 
  • سال: 

    1390
  • دوره: 

    0
  • شماره: 

    5
تعامل: 
  • بازدید: 

    98
  • دانلود: 

    36
کلیدواژه: 
چکیده: 

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.

آمار یکساله:  

بازدید 98

دانلود 36
litScript