Start: 2/7/2023 5:23:16 AMEnd: 2/7/2023 5:23:16 AM >> 156

مقاله طرح

مشخصات مقاله

مجری: پژوهشکده علوم پایه کاربردی
سال:1392 | تاریخ پایان: بهمن 1392

video

sound

نسخه انگلیسی

بازدید:

91

دانلود:

0

استناد:

اطلاعات طرح

عنوان

ساخت نانوساختارهای یک بعدی و دو بعدی اکسید ایندیوم و بررسی خواص حسگری آنها بر روی گاز H2S

شماره مسلسل

صفحات

 صفحه شروع | صفحه پایان

چکیده

 در این پژوهش خصوصیات حسگری سنسور شیمیایی ترانزیستور نانوساختار یک بعدی و نانوساختار دو بعدی, اکسید ایندیوم در حضور گاز شیمیایی مورد بررسی قرار می گیرند. نانوسیم ها بر اساس فرایند جامد- مایع- بخار ساخته شدند. ترانزیستور اثر میدان نانوسیم, تغییرات رسانندگی قابل توجهی را در حضور گاز H2S نشان می دهد. نانوسیم های اکسید ایندیوم با قطری حدود 50-150 نانومتر و طولی در حدود چند میکرون بر روی زیرلایه سیلیکون سنتز و ساخته شدند. این نانوسیم ها در یک کوره افقی با تغییر دادن دمای منبع از طریق فرایند تبخیر حرارتی و کاهش کربن بدست آمدند. همچنین در این پژوهش, تهیه لایه های نازک اکسید ایندیوم به روش تبخیر در خلأ و بررسی اثر افزودن ناخالصی قلع در حسگری این لایه ها نسبت به این گازها مورد بررسی قرار گرفت. لایه نشانی در دمای اتاق و روی بسترهای شیشه ای و سیلیکونی انجام شد. برای بررسی خواص مورفولوژی نانوساختارهای اکسید ایندیوم و آلائیده با قلع, از میکروسکوپ الکترونی روبشی و به منظور بررسی خواص ساختاری بلوری این محصولات از پراش اشعه X استفاده کردیم. بررسی میزان حسگری لایه ها و نانوسیم ها نسبت به گاز H2S, در مقیاس و غلظت های مختلف نیز, یکی از اهداف اصلی این پژوهش است.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط نشریه ای

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی

    استناددهی






    مرکز اطلاعات علمی SID
    مرکز اطلاعات علمی SID
    ویراستاری
    مرکز اطلاعات علمی SID

    فایل موجود نیست