Start: 2/7/2023 2:27:27 PMEnd: 2/7/2023 2:27:28 PM >> 334

video

sound

نسخه انگلیسی

بازدید:

475

دانلود:

204

استناد:

اطلاعات مقاله نشریه

عنوان

بررسی خواص الکترونی نانوساختارهای n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظریه ی تابعی چگالی

صفحات

 صفحه شروع 206 | صفحه پایان 217

چکیده

 در این تحقیق نانو ساختارهایC20 Bowl, (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پایداری ترمودینامیکی, گاف انرژی, هدایت الکتریکی و کاربرد آنها در سلول خورشیدی به کمک نظریه تابعی چگالی در سطح محاسبات کوانتومیLSDA/6-31G در دمای اتاق مورد بررسی و مقایسه قرار گرفته اند. پایدارترین ساختارها در 300 کلوین, C17Si3 و C15Ge5 نتیجه شده اند. نتایج نشان میدهند که تعداد استخلاف سیلیکون و یا ژرمانیم تاثیر منظمی بر گاف انرژی ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژی در همه ساختارها و افزایش هدایت الکتریکی میشود. کمترین گاف انرژی و بیشترین هدایت الکتریکی در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژی تراز هومو ی جزء دهندة الکترون و سطح انرژی تراز لوموی جزء پذیرندة الکترون, فاکتور مهمی در انتقال الکترون بین دو ساختار با پتانسیل کاربرد فتو ولتائیکی است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذیرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون, با ماکزیمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت), میتوانند در ساخت سلول خورشیدی بکار روند.

استنادها

  • ثبت نشده است.
  • ارجاعات

  • ثبت نشده است.
  • مقالات مرتبط نشریه ای

    مقالات مرتبط همایشی

  • ثبت نشده است.
  • طرح های مرتبط

  • ثبت نشده است.
  • کارگاه های پیشنهادی

    استناددهی