برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان: 

شبیه سازی ترانزیستور اثرمیدان تونلی و تحلیل پارامترهای تاثیرگذار بر عملکرد آن

نوع ارائه: مقاله
نویسنده: درستكار بهنام,ماهودي مليحه,مرجاني سعيد
 
 
 
عنوان همایش: كنفرانس توسعه پژوهش هاي نوين در مهندسي برق و كامپيوتر
نوع همایش:  سازمان ها و مراکز غير دولتي
حامی:  موسسه آموزش عالي غيرانتفاعي غيردولتي وحدت تربت جام
زمان:  1397دوره 1
 
چکیده: 
در سال هاي اخير با کوچک شدن تکنولوژي CMOS، محدوديت هايي ذاتي همچون توان مصرفي، سرعت روشن و خاموش شدن و همچنين کار با ولتاژ پايين تر، نياز به افزاره اي جديد را بوجود آورده است. ترانزيستور اثر ميدان تونلي(TFET) مبتني بر تونل زني باند به باند(BTBT) به عنوان يکي از قطعه جايگزين معرفي گرديد. در ترانزيستوراثر ميدان تونلي برخلاف MOSFET که از تزريق حامل ها به صورت thermionic استفاده مي کند، از مکانسيم تونل زني از داخل سد پتانسيل براي حامل ها استفاده مي نمايد و پيش بيني مي شود که در سال هاي آتي بتواند علاوه بر غلبه به محدوديت هاي ذکر شده، به طور گسترده در مدارهاي مجتمع آنالوگ و ديجيتال مورد استفاده قرار گيرد. قطعات مبتني بر BTBT داراي جريان خاموش بسيار کم و همچنين شيب زير آستانه کمتر از mV/decade 60 مي باشند. نسبت جريان روشن به جريان خاموش بالا يکي ديگر از پارامترهاي مهم اين نوع افزاره مي باشد. در اين مقاله، ساختار ترانزيستور اثرميدان تونلي سيليکني پيشنهاد و پارامترهاي مهم در طراحي افزاره همچون ناخالصي در نواحي سورس و درين، ساختار گيت مورد تحليل قرار مي گيرد و تاثير اين پارامترها بر عملکرد TFET مورد ارزيابي و در نهايت مدارحالت جريان ديجيتالي با TFET مورد آناليز قرار مي گيرد.
 
کلید واژه: ترانزيستور اثر ميدان تونلي,شيب زيرآستانه,جريان خاموش,مدارحالت جريان ديجيتالي
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
  • ندارد
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
 
بازدید یکساله 448   pdf-file
 
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی