برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان: 

اثر ناخالصی بر TMR و مشخصه I-V در نانو ساختارهای مغناطیسی

نوع ارائه: مقاله
نویسنده: كنجوري فرامرز*
 
 *دانشكده فيزيك، دانشگاه يزد، يزد
 
عنوان همایش: كنفرانس فيزيك ايران
نوع همایش:  انجمن هاي علمي
حامی:  انجمن فيزيك ايران
زمان:  1384دوره -
 
چکیده: 

مقاله حاضر به بررسي نظري اثر ناخالصي نقطه اي درون يك لايه دي الكتريك (I) كه بين دو الكترود فرومغناطيس (F) قرار دارد، بر مشخصه ولت - آمپر و مقاومت مغناطيسي تونلي (TMR) مي پردازد. نشان داده شده است كه جريان و TMR در نزديكي ناخالصي به شدت افزايش مي يابد. همچنين اگر مكان ناخالصي درون دي الكتريك نسبت به مرز لايه ها متقارن نباشد، I-V رفتاري ديودگونه خواهد داشت.

 
کلید واژه: 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
 
بازدید یکساله 29   pdf-file
 
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی