برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان: 

اثر میدان حاشیه ای گیت در ترانزیستورهای نانوسیم بدون پیوند با مهندسی ماده گیت

نوع ارائه: مقاله
نویسنده: دادي زاده ايلقار,شاه حسيني علي
 
 
 
عنوان همایش: کنفرانس مهندسي برق ايران
نوع همایش:  وزارت علوم، تحقيقات و فناوري
حامی:  دانشگاه شيراز، کميته دائمي کنفرانس مهندسي برق ايران
زمان:  1395دوره 24
 
چکیده: 

در اين مقاله اثر ميدان حاشيه اي گيت به سورس و درين را در ترانزيستور نانوسيم بدون پيوند بررسي کرده ايم. ترانزيستورهاي بدون پيوند فرايند ساخت را تسهيل کرده و مشخصات الکترونيکي مطلوبي را فراهم مي کنند. اثرات ميدان حاشيه اي را در ساختار استوانه اي با گيت احاطه کننده بررسي کرده ايم...

 
کلید واژه: ترانزيستور بدون پيوند، گيت احاطه کننده، ميدان حاشيه اي گيت، مهندسي ماده گيت
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
 
بازدید یکساله 113   pdf-file
 
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی