برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان: 

مطالعه تاثیر آلایش هالوژن بر عملکرد ترانزیستور MOS با ابعاد نانومتری

نوع ارائه: مقاله
نویسنده: فتحي پور مرتضي,قنبري شيرين,ارضي عزت اله
 
 
 
عنوان همایش: كنفرانس فيزيك ايران
نوع همایش:  انجمن هاي علمي
حامی:  انجمن فيزيك ايران
زمان:  1384دوره -
 
چکیده: 

تغيير مقياس ترانزيستورهاي MPSFET به منظور بهبود عملكرد ترانزيستور MOS و كاهش هزينه ساخت آن انجام مي شود. با كاهش ابعاد، آثار كانال كوتاه مانند پيچش ولتاژ آستانه و اثر DIBL كه قبلا در ترانزيستورهاي كانال طويل به چشم نمي آمدند اهميت مي يابند، كه موجب اختلال در عملكرد ترانزيستور مي شوند. يكي از روشها براي از بين بردن آثار كانال كوتاه ايجاد آلايش هاله كون و تبديل ناخالصي بستر است. ترانزيستوري با طول كانال موثر 90 نانومتر شبيه سازي شده و با ايجاد آلايش هاله گون و تغيير ناخالصي بستر آثار كانال كوتاه را بهبود مي دهيم.

 
کلید واژه: 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
 
بازدید یکساله 53   pdf-file
 
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی