برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان: 

مدلسازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور دو گیتی با سورس/درین فلزی و کانال InxGa1-x با استفاده از روش تنگ بست و تابع گرین غیرتعادلی

نوع ارائه: مقاله
نویسنده: آهنگري زهرا*
 
 *دانشگاه آزاد اسلامي، واحد يادگار امام خميني (ره) شهر ري
 
عنوان همایش: کنفرانس مهندسي برق ايران
نوع همایش:  وزارت علوم، تحقيقات و فناوري
حامی:  انجمن مهندسي برق و الكترونيك، دانشگاه صنعتي شريف
زمان:  1394دوره 23
 
چکیده: 
fiogf49gjkf0d

لطفا براي مشاهده چکيده به متن کامل (PDF) مراجعه فرماييد.

 
کلید واژه: ترانزيستور دو گيتي با سورس و درين فلزي، تابع گرين غيرتعادلي، روش تنگ بست، سد شاتكي
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
 
بازدید یکساله 43   pdf-file
 
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی