برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان: 

رشد اکسید سیلیکان در دمای خیلی پایین به کمک پلاسمای اکسیژن و نانوبلورهای سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک بر بستر انعطاف پذیر

نوع ارائه: مقاله
نویسنده: هاشمي پويا,مهاجرزاده سيدشمس الدين,عبدي ياسر,ايزدي نيما,رابرتسون مايكل
 
 
 
عنوان همایش: كنفرانس فيزيك ايران
نوع همایش:  انجمن هاي علمي
حامی:  انجمن فيزيك ايران
زمان:  1384دوره -
 
چکیده: 
fiogf49gjkf0d

در اين مقاله، براي نخستين بار، روشي براي رشد اکسيد سيليکان در دماي بسيار پايين ارايه مي شود. به کمک مراحل متوالي هيدروژناسيون در محيط پلاسما و حرارات دهي، که خود روش نويني است، لايه سيليکان بي شکل به ساختار نانو بلور بدل مي شود. با کنترل شرايط هيدروژناسيون مي توان نانو بلورهايي را با اندازه متوسط دانه يک تا ده نانو متر ايجاد کرد. به کمک اکسيداسيون در محيط پلاسماي RF، اکسيژن در بين اين نانو دانه ها نفوذ مي کند و به تدريج کل نانو دانه را به اکسيد تبديل مي نمايد. اين روش مي تواند جايگزين روش لايه نشاني اکسيد، که عموما در ساخت ترانزيستور هاي لايه نازک که بر بستر انعطاف پذير ساخته مي شوند، گردد. همچنين کيفيت اکسيد رشد داده شده با آناليزهاي SEM، TEM آناليز ناهمواري (Dectak) مورد بررسي قرار گرفته است.

 
کلید واژه: 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
 
بازدید یکساله 75   pdf-file
 











آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی