برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات

عنوان:

ساخت سیستم اندازه گیری مقاومت لایه های نازک مغناطیسی همزمان با اعمال میدان مغناطیسی



گروه تخصصی:  علوم پایه

سازمان مجری:  پژوهشکده علوم پایه کاربردی 

گروه پژوهشی: فیزیک

پژوهشگران: 
بنایی اقدس (مسئول طرح)

تاریخ خاتمه:  بهمن 1387

کارفرما: پژوهشکده علوم پایه کاربردی

خروجی طرح: 

این طرح امکان اندازه گیری مگنتورزیستنس لایه های مغناطیسی را فراهم می سازد.


نوع: کاربردی

 
تلفن: 021-29903037-8

نشانی سازمان مجری: تهران، اوین، دانشگاه شهید بهشتی، صندوق پستی: 169- 19835
 

چکیده:

به منظور اندازه گیری مقاومت لایه های نازک مغناطیسی همزمان با اعمال میدان مغناطیسی و بررسی میزان تغییرات مقاومت لایه همزمان با تاثیر میدان، سیستمی طراحی شد که بتواند چهار پراب مخصوص اندازه گیری مقاومت لایه های نازک را به گونه ای در بین قطب های میدان مغناطیسی نگه دارد و قابلیت تغییر و تثبیت محل چهار پراب را داشته باشد تا بتوان مقاومت لایه را همزمان با اعمال میدان مغناطیسی اندازه گیری نمود. به منظور تثبیت محل چهار پراب و همچنین قابلیت تغییر محل آن از مواد دارای قابلیت ارتجاعی استفاده شد تا بتواند اتصال حساسی را که باید بین نوک سوزن های چهار پراب و سطح لایه ایجاد شود و در عین حال باعث تخریب لایه نازک نگردد، برقرار کند. در این روش هد چهار پراب کاملا در ماده مذکور که خود در بین دو قطب آهنربای الکتریکی ثابت شده است جاسازی گردید. سپس مداری که در آن دو پراب بیرونی مربوط به جریان و دو پراب داخلی مربوط به ولتاژ می باشد طراحی شد. برای اندازه گیری مقاومت، پس از اتصال سوزن های چهار پراب، جریان I بین پراب های بیرونی برقرار گردید و ولتاژ V بین دو پراب داخلی اندازه گیری شد. نسبت ولتاژ به جریان دستگاه چهارپراب برای لایه نازک نشانده شده قبل از اعمال میدان و همزمان با اعمال میدان ثبت شد به گونه ای که ابتدا میدان از صفر تا حدود 0.5 تسلا افزایش داده شد و سپس میدان مغناطیسی در جهت عکس دوباره از صفر تا 0.5 تسلا اعمال گردید. به منظور تکرار پذیری آزمایش برای هر مقداری از میدان جهت جریان دستگاه چهاربراب نیز معکوس گردید و ولتاژ مربوطه قرائت گردید. سپس بین دو مقدار به دست آمده برای نسبت ولتاژ به جریان میانگین گرفته شد. به علاوه پس از قطع میدان تغییرات ولتاژ و جریان نسبت به زمان ثبت شد و نمودارهای مربوط رسم گردیدند.
نسبت ولتاژ به جریان متناسب با مقاومت لایه است که با تغییر این نسبت، تغییرات مقاومت لایه قابل بررسی است. اندازه گیری تغییرات مقاومت لایه های مغناطیسی آلیاژهای دوتایی و سه تایی از آهن، نیکل وکبالت همزمان با اعمال میدان مغناطیسی خارجی نتیجه حاصل از این طرح است.



کلیدواژگان:

 
 
Title:



Abstract:

Keyword(s):