برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات

عنوان:

تبدیل حافظه مغناطیس به حافظه های نیمه هادی



گروه تخصصی:  فنی و مهندسی

سازمان مجری:  واحد صنعتی شریف 

گروه پژوهشی: مهندسی برق و کامپیوتر

پژوهشگران: 
کی ارسلان حسن (مسئول طرح)

تاریخ خاتمه:  شهریور 1368

کارفرما: پادگان قصر فیروزه

خروجی طرح: 

نتایج این تحقیق به کارفرما واگذار شده است. 


نوع: کاربردی

 
تلفن: 66005970-66031914-66024544-021

نشانی سازمان مجری: تهران، خیابان آزادی، خیابان شهید ولی اله صادقی، روبروی درب شمالی دانشگاه صنعتی شریف، پلاک 79، کدپستی
 

چکیده:

هدف از انجام این پروژه ایجاد سهولت در تعمیر و نگهداری یک سیستم ناوبری از طریق تبدیل حافظه های مغناطیسی (Core Memory) به حافظه های نیمه هادی است.

حافظه جایگزین دارای قابلیت نگهداری اطلاعات در صورت قطع برق می باشد. این قابلیت با استفاده از باطری فراهم می شود و امکان ایجاد «CMOS RAM» را میسر می سازد، ضمنا مدار جایگزین قابلیت تحمل تغییرات زیاد دما و شتاب را دارد.
خلاصه ای از فعالیت های انجام شده:
- استخراج اطلاعات حافظه و قرار دادن آن در «
EPROM»
- شناسایی سیستم کامپیوتر و حافظه و منحنی های زمانی مربوط
- ساخت مدار آزمایشی نمونه و تست آزمایشگاهی آن
- ساخت نمونه تولیدی مدار و تست در شرایط عملیاتی
- تولید 5 نمونه برای رفع بخشی از نیازهای جاری
- ساخت 100 نمونه تولیدی



کلیدواژگان:

 
 
Title:



Abstract:

Keyword(s):