4 SID.ir | توپوگرافي سيليكن پس از بمباران توسط يونهاي كم انرژي آرگون

مشخصات مقاله

 
عنوان مقاله: 

توپوگرافي سيليكن پس از بمباران توسط يونهاي كم انرژي آرگون

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* مرکز تحقیقات فیزیک پلاسما، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
 
چکیده: 

موضوع تخريب تابشي سيليكن بوسيله روشهاي منسوب به پلاسما و باريكه الكتروني ساليان زيادي مورد بررسي قرار گرفته است. بهبود توپوگرافي سطح به منظور داشتن ضمختي ويژه نيز گاهي مورد علاقه مي باشد. بخصوص در آن دسته از آزمايشهايي كه بر همكنش يون با سطح بسيار به توپوگرافي سطح حساس است. در كار قبلي، جهت مطالعه اثر بمباران الكتروني روي سيليكن از چشمه الكتروني طراحي شده خود استفاده نموديم. در اين مقاله، نمونه هاي سيليكن توسط يونهاي آرگون با انرژي 30keV بصورت عمود بر سطح و دزهايي در محدوده 1016×1 تا 1017×3 آرگون بر سانتي مترمربع مورد بمباران قرار گرفتند. تغييرات توپوگرافي بوجود آمده روي سطح سيليكن، توليد تاولها و نحوه تحول آنها با تغيير دز توسط ميكروسكپ نيروي اتمي مشاهده گرديد. اندازه گيري ارتفاع متوسط نشان مي دهد كه در دزهاي بالاي 1017×3 ارتفاع بطور خطي بدليل كند و پاش كاهش مي يابد. خصوصيات اپتيكي نمونه ها نيز بعد از تابش آرگون بوسيله طيف نگار نوري UV-Vis-NIR اندازه گيري شدند.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
ارجاعات: 
  • ندارد
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 

  چکیده انگلیسی بازدید یکساله 95
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی