برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
پاييز 1397 , دوره  8 , شماره  18 ; از صفحه 43 تا صفحه 51 .
 
عنوان مقاله: 

بررسي خواص نوري گذار مقيد به پيوسته درون نواري نقطه ي کوانتمي مخروطي شکل InAs/GaAs همراه با لايه خيس: تحت اعمال ميدان هاي الکتريکي و مغناطيسي

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه یاسوج، یاسوج، ایران
 
چکیده: 
در اين مقاله، اثر ميدان هاي الکتريکي و مغناطيسي بر خواص نوري نفاط کوانتمي مخروطي شکل InAs/GaAs همراه با لايه خيس بررسي شده است. ابتدا با استفاده از روش محاسباتي اجزاي محدود و بهره گيري از تقريب جرم مؤثر، معادله شرودينگر براي نقطه کوانتمي مخروطي-شکل همراه با لايه خيس حل شد و توابع پوش، ترازهاي انرژي حالت پايه و تراز لايه خيس به دست آمدند. سپس با استفاده از توابع پوش الکترون، دوقطبي هاي گذار محاسبه شدند و وابستگي آن ها به ميدان هاي الکتريکي ومغناطيسي مشخص شدند و در نهايت به بررسي خواص نوري پرداخته شد. با اعمال ميدان الکتريکي و مغناطيسي در راستاي رشد نقطه کوانتومي محدوديت کوانتومي الکترون را مي توان کنترل کرد. به علت وابستگي دوقطبي هاي گذار به حضور ميدان، مقايسه نتايج نشان مي دهد که با افزايش ميدان مغناطيسي قله هاي ضريب جذب و شکست خطي وغير خطي بلندتر و به سمت طول موج هاي کوتاه تر مي رود. در حاليکه با افزايش ميدان الکتريکي تغييرات جزيي در جابه جايي قله هاي ضريب جذب و شکست خطي وغير خطي، به سمت طول موج هاي بلند تر قابل مشاهده است.
 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
مقالات بین المللی مرتبط: 
  • No item.
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

پرویزی، ر.، و دهقانی، س.، و رضایی، ق. (1397). بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران), 8(18 ), 43-51. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=471148



Vancouver : کپی

پرویزی رقیه، دهقانی سحر، رضایی قاسم. بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران). 1397 [cited 2022January23];8(18 ):43-51. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=471148



IEEE : کپی

پرویزی، ر.، دهقانی، س.، رضایی، ق.، 1397. بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی. پژوهش سیستم های بس ذره ای (علوم دانشگاه شهید چمران), [online] 8(18 ), pp.43-51. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=471148.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 134 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی