6 SID.ir | بررسي خواص الکتروني نانوساختارهاي n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظريه ي تابعي چگالي

مشخصات مقاله

 
عنوان مقاله: 

بررسي خواص الکتروني نانوساختارهاي n=1-5) C20-nGen, C20-nSin) به روش نظريه ي تابعي چگالي

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* گروه شیمی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه آزاد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، تهران، ایران
 
چکیده: 
در اين تحقيق نانو ساختارهايC20 bowl، (n=1-5) C20-nSin وn=1-5) ) C20-nGenاز نظر پايداري ترموديناميکي، گاف انرژي، هدايت الکتريکي و کاربرد آنها در سلول خورشيدي به کمک نظريه تابعي چگالي در سطح محاسبات کوانتوميLSDA/6-31G در دماي اتاق مورد بررسي و مقايسه قرار گرفته اند. پايدارترين ساختارها در 300 کلوين، C17Si3 و C15Ge5 نتيجه شده اند. نتايج نشان ميدهند که تعداد استخلاف سيليکون و يا ژرمانيم تاثير منظمي بر گاف انرژي ندارد اما منجر به کاهش قابل ملاحظة گاف انرژي در همه ساختارها و افزايش هدايت الکتريکي ميشود. کمترين گاف انرژي و بيشترين هدايت الکتريکي در C17Ge3 و C16Si4 بدست آمده است. گاف سطح انرژي تراز هومو ي جزء دهندة الکترون و سطح انرژي تراز لوموي جزء پذيرندة الکترون، فاکتور مهمي در انتقال الکترون بين دو ساختار با پتانسيل کاربرد فتو ولتائيکي است. دو ساختار C17Si3 بعنوان پذيرنده الکترون و C15Ge5 بعنوان دهنده الکترون، با ماکزيمم مقدار ولتاژ(Voc) (93/1ولت)، ميتوانند در ساخت سلول خورشيدي بکار روند.
 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
-
 
ارجاعات: 
  • ندارد
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
  • ندارد
 
مقالات همایشی مرتبط: 
  • ندارد
 

  چکیده انگلیسی بازدید یکساله 34
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی