الگوي جديدي براي افزاره آي ماس با ساختار نوار مهندسي شده (ناهمگون) پيشنهاد و شبيه سازي شده است. با توجه به اين که ناحيه ذاتي در يک آي ماس نقش کنترل کننده فرايند تونل زني نوار به نوار را ايفا مي کند و ساز و کار غالب توليد حامل درون اين ناحيه يونش برخوردي است، در الگوي پيشنهادي فرض شده که ماده تشکيل دهنده ناحيه ذاتي از جنس SixGe1-x (0.5£x£1) باشد و اندازه گاف نوار آن از اندازه گاف Si در لبه سورس تا گاف Si0.5Ge0.5 در لبه گيت به طور خطي تغيير کند. اين امر سبب مي شود تا بزرگ ترين اختلاف در گاف نوار الگوي پيشنهادي برابر Dec=Dec=0.32eV در فصل مشترک سورس و ناحيه ذاتي پديدار شود و از احتمال وقوع تونل زني نوار به نوار و در نتيجه از اندازه جريان خاموش بکاهد. نتايج عددي نشان مي دهد ولتاژ شكست براي آي ماس ناهمگون پيشنهادي نسبت به يک ساختار آي ماس همگون از جنس Si0.5Ge0.5 با ابعاد مشابه، به اندازه 0.3V و جريان خاموش آن حدود چهار برابر کاهش يافته است.