برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
پاييز 1391 , دوره  31 , شماره  2 ; از صفحه 53 تا صفحه 63 .
 
عنوان مقاله: 

بررسي اثر استفاده از راديکالهاي گازي سيستم گازي آمونياك و تري کلروسيلان بر رشد و خصوصيات لايه نازک نيتريد سيليکون آمورف لايه نشاني شده به روش لايه نشاني شيميايي از فاز بخار در فشار پايين

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* پژوهشگاه مواد و انرژی ایران
 
چکیده: 

بررسي روش ساخت و کيفيت لايه هاي نازک نيتريد سيليکون آمورف رسوب داده شده به روش لايه نشاني شيميايي از فاز بخار در فشار پايين از مخلوط راديکالهاي آزاد تشکيل شده از سيستم گازي نيتروژن، آمونياک و تري کلروسيلان هدف اين مقاله است. تبديل گازهاي اوليه به راديکالهاي آزاد گازي با عبور دادن آنها از روي کاتاليزور سراميکي پلاتين ايريديوم آلومينا در دماي 600 درجه سانتيگراد انجام شد. تغييرات سينتيک رشد لايه نسبت به تغييرات فشار کل سيستم، نسبت نرخ شارش آمونياک به تري کلروسيلان و دما بررسي شد. توپوگرافي و ترکيب شيميايي لايه نازک توسط بيضي سنجي، طيف نگاري فوتوالکترون اشعه ايکس، طيف نگاري فوتوالکترون اشعه ايکس، طيف نگاري تبديل فوريه مادون قرمز، ميکروسکوپ نيروي اتمي و عمق نگاري با الکترون اوژه مورد بررسي قرار گرفت. بررسي نتايج نشان داد که در محدوده دمايي 730 تا 830 درجه سانتيگراد سينتيک رشد لايه نازک تابعي آرنيوسي با انرژي فعالسازي 166.3 کيلوژول بر مول است. آلودگي هيدروژن در لايه نازک نيتريد سيليکون آمورف 1.05 درصد اتمي اندازه گيري شد. اين مقدار 17 برابر کم تر از آلودگي هيدروژن در لايه هاي حاصل از روش لايه نشاني شيميايي از فاز بخار به کمک پلاسما و 3.4 برابر کم تر از مقدار آلودگي اندازه گيري شده در لايه هاي حاصل از لايه نشاني شيميايي از فاز بخار در فشار پايين با استفاده از سيستم گازي سيلان و آمونياک يا سيستم گازي دي کلروسيلان و آمونياک است. تصاوير ميکروسکوپ نيروي اتمي نشان داد که توپوگرافي سطحي لايه حاصل هموار و همگن است.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
-
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

سلماسی، آ.، و کشاورزعلمداری، ا. (1391). بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین. مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال), 31(2), 53-63. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=191463



Vancouver : کپی

سلماسی آرمین، کشاورزعلمداری اسکندر. بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین. مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال). 1391 [cited 2021August05];31(2):53-63. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=191463



IEEE : کپی

سلماسی، آ.، کشاورزعلمداری، ا.، 1391. بررسی اثر استفاده از رادیکالهای گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین. مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال), [online] 31(2), pp.53-63. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=191463.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 84 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی