برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
 
عنوان مقاله: 

مدل بسته جريان - ولتاژ در ترانزيستورهاي نانولوله کربني آلاييده

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* ایران، تهران، خیابان کارگر شمالی، بعد از بزرگراه جلال آل احمد، دانشگاه تهران، پردیس 2، دانشکده‌های فنی، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، آزمایشگاه مدل سازی و شبیه سازی افزاره
 
چکیده: 

لطفا براي مشاهده چکيده به متن کامل (PDF) مراجعه فرماييد.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
ارجاعات: 
  • ندارد
 
Cite:
APA : کپی

مرادی نسب، م.، و فتحی پور، م. (1390). مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران), 8(2), 69-74. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=189463



Vancouver : کپی

مرادی نسب مهدی، فتحی پور مرتضی. مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران). 1390 [cited 2021April14];8(2):69-74. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=189463



IEEE : کپی

مرادی نسب، م.، فتحی پور، م.، 1390. مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده. نشریه مهندسی برق و الکترونیک ایران (انجمن مهندسین برق و الکترونیک ایران), [online] 8(2), pp.69-74. Available at: <https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=189463>.



 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 101 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی