در اين مقاله ساختار جديد δ-doped LDD HMESFET را معرفي و شبيه سازي مي كنيم. يكي از راههاي افزايش سرعت حامل در كانال در مجاورت سورس ترانزيستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون HMESFET است؛ يعني از سورس AlxGa1-x As در مجاورت كانال GaAsاستفاده مي شود. با افزايش x (در صد موليAl ) مي توان ناپيوستگي گاف نوار (ΔEG) در فصل مشترك سورس - كانال را افزايش داد و سرعت حامل را در ناحيه ميدان ضعيف زياد كرد. اما افزايش بيش از حد x، مراكز DX را افزايش داده موجب كاهش جريان مي شود. لذا براي اجتناب از افزابش مراكزDX ، بايد به روش ديگري روي آورد. رويكرد جايگزين پيشنهاد شده در اين مقاله استفاده از لايه هاي نا خالصي دلتا گونه (δ-doping) در فصل مشترك سورس - كانال است. اين كار موجب افزايش ناپيوستگي در گاف نوار در فصل مشترك سورس - كانال مي شود. افزايشΔEG ، معادل افزايش درصد مولي Al است. در اين مقاله با شبيه سازي ساختار پيشنهادي با درصد مولي Al كمتر از اندازه استفاده شده در ترانزيستور مرجع [1]، نشان مي دهيم كه متوسط سرعت الكترون، بدون در نظر گرفتن مراكزDX ، در دو ترانزيستور برابر است.