مشخصات مقاله عنوان نشریه: فني و مهندسي مدرس اطلاعات شماره: پاييز 1382 , دوره - , شماره 13 ; از صفحه 99 تا صفحه 111 . عنوان مقاله: ترانزيستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درين كم غلظت و ناخالصي دلتا گونه نویسندگان: مروج فرشي محمدكاظم*, ثقفي كاميار, احمدي وحيد آدرس: * بخش مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس تهران چکیده: در اين مقاله ساختار جديد δ-doped LDD HMESFET را معرفي و شبيه سازي مي كنيم. يكي از راههاي افزايش سرعت حامل در كانال در مجاورت سورس ترانزيستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون HMESFET است؛ يعني از سورس AlxGa1-x As در مجاورت كانال GaAsاستفاده مي شود. با افزايش x (در صد موليAl ) مي توان ناپيوستگي گاف نوار (ΔEG) در فصل مشترك سورس - كانال را افزايش داد و سرعت حامل را در ناحيه ميدان ضعيف زياد كرد. اما افزايش بيش از حد x، مراكز DX را افزايش داده موجب كاهش جريان مي شود. لذا براي اجتناب از افزابش مراكزDX ، بايد به روش ديگري روي آورد. رويكرد جايگزين پيشنهاد شده در اين مقاله استفاده از لايه هاي نا خالصي دلتا گونه (δ-doping) در فصل مشترك سورس - كانال است. اين كار موجب افزايش ناپيوستگي در گاف نوار در فصل مشترك سورس - كانال مي شود. افزايشΔEG ، معادل افزايش درصد مولي Al است. در اين مقاله با شبيه سازي ساختار پيشنهادي با درصد مولي Al كمتر از اندازه استفاده شده در ترانزيستور مرجع [1]، نشان مي دهيم كه متوسط سرعت الكترون، بدون در نظر گرفتن مراكزDX ، در دو ترانزيستور برابر است. کلید واژه: ناخالصي دلتاگونه(Q4)درين كم غلظت(Q4)مسفت ساختار ناهمگون(Q4)شبيه سازي(Q2)مراكز DX(Q4) چارک 1 این موضوع در حوزۀ علمی خود، در چارک اول تازگی است. یعنی استقبال پژوهشگران از این موضوع خیلی زیاد است. چارک 2 این موضوع در حوزۀ علمی خود، در چارک دوم تازگی است. یعنی استقبال پژوهشگران از این موضوع زیاد است. چارک 3 این موضوع در حوزۀ علمی خود، در چارک سوم تازگی است. یعنی استقبال پژوهشگران از این موضوع کم است. چارک 4 این موضوع در حوزۀ علمی خود، در چارک چهارم تازگی است. یعنی استقبال پژوهشگران از این موضوع خیلی کم است. موضوعات مرتبط: المان محدودمدل سازیالگوریتم ژنتیکبهره برداری از مخزن ارجاعات: ندارد مقالات نشریه ای مرتبط: تاثير خواص مواد نيمرسانا و ساختار مسفت بر مشخصه هاي انتقال الكترون در افزاره (شبيه سازي مونت كارلو) شناسايي مولکول ها با استفاده از گرافين بر پايه ترانزيستور اثر ميدانترانزيستور MESFET کربيد سيليسيم با گيت تورفته در سمت سورس و درين و لايه مدفون N در کانالبررسي مشخصه هاي الکتريکي AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لايه P در لايه سد در دو سمت سورس و درينترانزيستور اثر ميدان فلز- نيمه هادي با ناحيه بدون ناخالصي در طرف درين براي اصلاح چگالي حامل ها و كاربردهاي توان بالا مقالات همایشی مرتبط: مدلسازی انتقال کوانتومی در ترانزیستور دو گیتی با سورس/درین فلزی و کانال InxGa1-x با استفاده از روش تنگ بست و تابع گرین غیرتعادلیبررسی و مدل سازی ترانزیستور نیمه هادی گالیوم آرسنایدشبیه سازی ترانزیستور اثرمیدان تونلی و تحلیل پارامترهای تاثیرگذار بر عملکرد آنمقایسه نشت باکتری در سه روش مختلف پر کردن کانال در کانال های بیضی شکلعوامل موثر بر انتخاب کانال دریافت خدمات بانکی مشتریان (مطالعه موردی: بانک ملت) ویدئوهای مرتبط از مکتبخونه بازدید یکساله 274 آخرین های بلاگ معرفی 10 موضوع داغ در بیست حوزه علمی بر اساس پایگاه مرکز اطلاعات علمیتست آنلاین کروناآشنایی با شاخص های hI ،hf و hm از خانواده شاخص هرشچطور مطالب را تنها در یک سایت خاص جستجو کنیمآموزش جستجوی تصویر در گوگلبرقراری پیوند میان ارجاعات درون متنی و آخر متن ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی