برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
 
عنوان مقاله: 

بررسي اثرات دمايي ترانزيستور 45mn سيليکون روي الماس

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

در اين مقاله مشخصه هاي دمايي زيرپايه هاي سيليکون روي عايق (SOI) و سيليکون روي الماس (SOD) با طول کانال 45nm، با استفاده از شبيه سازي هيدروديناميک مورد بررسي قرار گرفته است. از آنجا که الماس داراي هدايت گرمايي بسيار بالايي در مقايسه با اکسيد سيليکون بوده، لذا با انتقال سريع گرما در زيرپايه هاي سيليکون روي الماس، دماي شبکه نسبت به زيرپايه هاي سيليکون روي عايق بسيار افت کرده، به طوري که امکان استفاده از اين زيرپايه ها را در شرايط دمايي يکسان و توان بالاتر فراهم مي کند. از طرفي در مدارات مجتمع بر پايه تکنولوژي سيليکون روي الماس، هدايت يکنواخت و سريع گرما توسط لايه الماس موجب همدما شدن ترانزيستورهاي کناري با دماي ترانزيستور فعال مي گردد. در اين مقاله براي اولين بار اثر عايق مدفون الماس در انتقال گرماي توليد شده به ترانزيستورهاي کناري مورد بررسي قرار مي گيرد. نتايج شبيه سازي بيانگر افزايش جريان خاموشي (Ioff) ترانزيستورهاي کناري تا ميزان 8 برابر مي باشد. اين وابستگي دمايي، باعث افزايش جريان خاموشي ترانزيستورهاي کناري و ايجاد مساله عدم انطباق در مدارات مجتمع مي گردد.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
-
 
ارجاعات: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 

  چکیده انگلیسی بازدید یکساله 105
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی