برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
زمستان 1386 , دوره  1 , شماره  3 (3) ; از صفحه 47 تا صفحه 53 .
 
عنوان مقاله: 

حل عددي معادله ترابرد الكترون در نانوترانزيستورها در رژيم باليستيك براي حالت يك بعدي و دو بعدي

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

براي دست يابي به سرعت كار بالاتر و چگالي هاي بيش تر در بسته بندي، ساختارهاي ابزار FET به طور روزافزون كوچك شده اند. قطعاتي به كوچكي 18 نيز مي توانند مشخصه هاي ترانزيستور قابل قبول را نمايش دهند، اما در چنين ابعادي طبيعت انتقال حامل در قطعه تغيير مي كند. در چنين ماسفت هايي كه اندازه قطعه از طول پراكندگي حامل كوچك تر است احتمال اينكه حامل ها كانال را از الكترود هاي سورس به درين بدون مواجهه با رخداد پراكندگي طي كنند بسيار زياد است. به چنين انتقالي به اصطلاح انتقال باليستيك گويند. در اين مقاله به بررسي ترابرد الکترون در نانوترانزيستورها پرداخته و با استفاده از رهيافت نيمه کلاسيک مبتني بر معادلات بولتزمن براي رژيم باليستيک جريانيک ساختار دو بعدي و همچنين براي يک سيم کوانتومي محاسبه مي گردد كه اين محاسبات مبتني بر مدل ارايه شده توسط ۱- رحمان، جي- گئو و س- داتا مي باشد.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
-
 
ارجاعات: 
  • ندارد
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 

  چکیده انگلیسی بازدید یکساله 87
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی