برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
بهار 1399 , دوره  18 , شماره  1 ; از صفحه 67 تا صفحه 72 .
 
عنوان مقاله: 

استفاده از گيت کمکي براي بهبود مشخصات الکتريکي ترانزيستور اثر ميدان بدون پيوند سيليکون بر روي عايق

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* دانشکده مهندسي برق، دانشگاه آزاد ابهر، ابهر، ايران
 
چکیده: 
در ترانزيستورهاي اثر ميدان بدون پيوند سيليکون بر روي عايق (SOI-JLFET)، آلايش سورس-کانال-درين از يک سطح و يک نوع است. بنابراين فرايند ساخت آنها نسبت به ترانزيستورهاي اثر ميدان مد وارونگي سيليکون بر روي عايق آسان تر است. با اين حال، شيب زيرآستانه (SS) زياد و جريان نشتي بالا در SOI-JLFET، عملکرد آن را براي کاربردهاي سرعت بالا و توان پايين با مشکل مواجه کرده است. در اين مقاله براي اولين بار استفاده از گيت کمکي در ناحيه درين SOI-JLFET براي بهبود SS و کاهش جريان نشتي پيشنهاد شده است. ساختار پيشنهادشده "SOI-JLFET Aug" ناميده مي شود. انتخاب بهينه براي تابع کار گيت کمکي و طول آن، سبب بهبود هر دو پارامتر شيب زيرآستانه و نسبت جريان روشني به جريان خاموشي نسبت به ساختار اصلي، Regular SOI-JLFET شده است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد ساختار SOI-JLFET Aug با طول کانال nm 20، mV/dec 71 ~ SS و نسبت 1013 ~ ION/IOFF دارد. SS و نسبت ION/IOFF ساختار SOI-JLFET Aug نسبت به ساختار Regular SOI-JLFET با ابعاد مشابه، به ترتيب 14% و سه دهه بزرگي بهبود يافته اند. افزاره SOI-JLFET Aug مي تواند کانديد مناسبي براي کاربردهاي ديجيتال باشد.
 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

وادی زاده، م.، و قریشی، س.، و فلاح نژاد، م. (1399). استفاده از گیت کمکی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند سیلیکون بر روی عایق. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, 18(1 ), 67-72. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=493426



Vancouver : کپی

وادی زاده مهدی، قریشی سیدصالح، فلاح نژاد محمد. استفاده از گیت کمکی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند سیلیکون بر روی عایق. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق. 1399 [cited 2021December02];18(1 ):67-72. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=493426



IEEE : کپی

وادی زاده، م.، قریشی، س.، فلاح نژاد، م.، 1399. استفاده از گیت کمکی برای بهبود مشخصات الکتریکی ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند سیلیکون بر روی عایق. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, [online] 18(1 ), pp.67-72. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=493426.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 61 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی