برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
بهار 1397 , دوره  16 , شماره  1 ; از صفحه 37 تا صفحه 42 .
 
عنوان مقاله: 

کاهش جريان خاموشي در ترانزيستور اثر ميدان بدون پيوند دوگيتي نانومتري با استفاده از مهندسي آلايش ميانه کانال

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

مقياس بندي طول کانال، جريان نشتي افزاره بدون پيوند دوگيتي (DGJL-FET) را افزايش مي دهد و در نتيجه توان مصرفي افزاره در حالت خاموش افزايش مي يابد. در اين مقاله، ساختار نويني براي کاهش جريان نشتي افزاره DGJL-FET پيشنهاد شده که Modified DGJL-FET ناميده مي شود. در ساختار Modified DGJL-FET آلايش کانال در زير گيت با آلايش سورس و درين يکسان، اما بيشتر از ميانه کانال است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد با کاهش ضخامت لايه آلاييده زير گيت، D، جريان نشتي کاهش مي يابد. براي افزاره پيشنهادشده با طول کانال  10nmجريان خاموشي دو دهه بزرگي کمتر از افزاره Regular DGJL-FET است. عملکرد افزاره Regular DGJL-FET و Modified DGJL-FET براي طول کانال هاي مختلف بر حسب نسبت جريان حالت روشني به جريان حالت خاموشي (ION/IOFF)، شيب زير آستانه (SS) و تاخير ذاتي گيت مقايسه شده است. براي افزاره Modified DGJL-FET، D و آلايش ميانه کانال به عنوان پارامترهاي اضافي براي بهبود عملکرد افزاره در رژيم نانومتر در نظر گرفته شده است. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد در افزاره پيشنهادشده با طول کانال 15nm، SS و ION/IOFF نسبت به افزاره Regular DGJL-FET به ترتيب 14% و 106 دهه بزرگي بهبود يافته است.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

کلانتری، س.، و وادی زاده، م. (1397). کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, 16(1 ), 37-42. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=318453



Vancouver : کپی

کلانتری سروناز، وادی زاده مهدی. کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق. 1397 [cited 2021November30];16(1 ):37-42. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=318453



IEEE : کپی

کلانتری، س.، وادی زاده، م.، 1397. کاهش جریان خاموشی در ترانزیستور اثر میدان بدون پیوند دوگیتی نانومتری با استفاده از مهندسی آلایش میانه کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, [online] 16(1 ), pp.37-42. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=318453.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 167 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی