برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
پاييز 1396 , دوره  15 , شماره  3 ; از صفحه 217 تا صفحه 222 .
 
عنوان مقاله: 

بررسي مشخصه هاي الکتريکي AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لايه P در لايه سد در دو سمت سورس و درين

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

در اين مقاله، يک ترانزيستور HEMT گاليم نيترايدي با يک لايه نيمه هادي نوع P در لايه سد در هر دو سمت سورس و درين (SD-PL) مورد بررسي قرار مي گيرد. مهم ترين پارامترهاي الکتريکي اين ترانزيستور را مانند خازن گيت- سورس، خازن گيت- درين، هدايت انتقالي، فرکانس قطع، ميدان الکتريکي افقي، ولتاژ شکست، هدايت خروجي و جريان درين اشباع به وسيله نرم افزار دوبعدي اطلس شبيه سازي مي کنيم. نتايج شبيه سازي شده در ساختار پيشنهادي با دو ساختار ديگر با لايه P در سمت سورس (SD-PL) و لايه P در سمت درين (D-PL) و ساختار مرسوم مقايسه مي شوند. مطابق نتايج به دست آمده، ساختار پيشنهادي باعث بهبود خازن گيت- سورس، ماکسيمم هدايت انتقالي، فرکانس قطع و هدايت خروجي در مقايسه با ساختار D-PL مي گردد. همچنين اين ساختار جديد باعث کاهش ماکسيمم ميدان الکتريکي در گوشه گيت سمت درين شده و در نتيجه، ولتاژ شکست را به ميزان قابل ملاحظه اي در مقايسه با ساختار مرسوم افزايش مي دهد. افزايش طول (LP) و ضخامت (TP) لايه P در ساختارهاي SD-PL و S-PL باعث بهبود ولتاژ شکست، خازن گيت- سورس، خازن گيت- درين و هدايت خروجي خواهد شد.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

رضوی، س.، و ظهیری، س.، و حسینی، س. (1396). بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, 15(3), 217-222. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=301063



Vancouver : کپی

رضوی سیدمحمد، ظهیری سیدحمید، حسینی سیدابراهیم. بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق. 1396 [cited 2021October21];15(3):217-222. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=301063



IEEE : کپی

رضوی، س.، ظهیری، س.، حسینی، س.، 1396. بررسی مشخصه های الکتریکی AlGaN/GaN-HEMT با واردکردن لایه P در لایه سد در دو سمت سورس و درین. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, [online] 15(3), pp.217-222. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=301063.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 0 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی