برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
تابستان 1396 , دوره  15 , شماره  2 ; از صفحه 137 تا صفحه 142 .
 
عنوان مقاله: 

ترانزيستور MESFET کربيد سيليسيم با گيت تورفته در سمت سورس و درين و لايه مدفون N در کانال

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

در اين مقاله، يک ترانزيستور MESFET با گيت تورفته در دو سمت سورس و درين و لايه مدفون نوع N در کانال (SDS-DRG) ارائه مي گردد. مهم ترين پارامترهاي الکتريکي ساختار پيشنهادي همچون اثر کانال کوتاه، هدايت انتقالي، جريان درين و ولتاژ شکست شبيه سازي شده و با همين مقادير در ترانزيستورهاي MESFET با گيت تورفته در سمت سورس (SS-DRG) و گيت تورفته در سمت درين (DS-DRG) مقايسه مي شود. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد که کاهش ضخامت کانال زيرگيت در ساختارSDS-DRG ، باعث بهبود ماکسيمم هدايت انتقالي و کاهش اثر کانال کوتاه در مقايسه با ساختارهاي SS-DRG و DS-DRG مي گردد. کاهش ضخامت کانال زيرگيت در سمت درين در ساختار SDS-DRG، جهت افزايش ولتاژ شکست نسبت به ساختار SS-DRG استفاده مي شود. همچنين لايه مدفون N با چگالي ناخالصي بالا درSDS-DRG ، منجر به افزايش جريان درين اشباع در مقايسه با SS-DRG و DS-DRG مي شود.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

رضوی، س.، و ظهیری، س. (1396). ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, 15(2), 137-142. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=298070



Vancouver : کپی

رضوی سیدمحمد، ظهیری سیدحمید. ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق. 1396 [cited 2021October16];15(2):137-142. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=298070



IEEE : کپی

رضوی، س.، ظهیری، س.، 1396. ترانزیستور MESFET کربید سیلیسیم با گیت تورفته در سمت سورس و درین و لایه مدفون N در کانال. مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر ایران - الف مهندسی برق, [online] 15(2), pp.137-142. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=298070.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 149 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی