برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
تابستان 1395 , دوره  16 , شماره  2 ; از صفحه 225 تا صفحه 230 .
 
عنوان مقاله: 

اثر حركت نقص پيوندي بر رسانش الكتروني نانوساختارهاي خطي و حلقوي (يادداشت پژوهشي)

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
 
چکیده: 

در اين مقاله مبتني بر روش تابع گرين در رهيافت تنگابست، ترابرد الكتروني يك نانو نوار گرافني شامل يك نقص پيوندي و همچنين يك نانو سيم پلي استيلني شامل يك پيوند اضافي، مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج نشان مي دهد كه رسانش الكتروني نسبت به تغيير مكان نقص پيوندي در موارد تشديدي و غير تشديدي، رفتاري متفاوتي از خود نشان مي دهد. تنها در مواردي كه پيوندهاي دوگانه داريم، با تغيير مكان پيوند مقدار رسانش در انرژي صفر، تغيير مي كند. به خصوص در نانو سيم پلي استيلني اين تغييرات بيشتر مشاهده مي شود. ميزان جابه جايي مكان ضد تشديدها در طيف رسانش، نسبت به تغيير محل نقص پيوندي نيز قويا به نوع و شكل ساختار سامانه مركزي وابسته است.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
-
 
ارجاعات: 
  • ندارد
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 

  چکیده انگلیسی بازدید یکساله 93
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی