برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
اسفند 1380 , دوره  9 , شماره  37 ; از صفحه 25 تا صفحه 32 .
 
عنوان مقاله: 

روش جديد رشد افقي كريستال سيليكان براي ساخت ترانزيستورهاي لايه نازك بر روي شيشه

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

روش جديد براي كريستاليزه كردن سليكان به كمك القاي فلزي و به صورت افقي در دماي پايين انجام مي گردد. در اين روش از اشعه ماوراي بنفش براي جبران كردن كاهش دماي بلورينه كردن از 500 درجه سانتي گراد به كمتر از 400 درجه سانتي گراد استفاده مي شود. با اين كاهش دما، امكان رشد لايه هاي پلي كريستال سيليكان و تركيبات سيليكان - ژرمانيم بر روي بسترهاي شيشه اي فراهم مي گردد. با توجه به رشد افقي لايه بلورينه شده امكان ساخت ترانزيستورهاي لايه نازك برروي شيشه بوجود آمده است. اولين نمونه ترانزيستور لايه نازك ساخته شده در آزمايشگاه با استفاده از اين روش بر روي شيشه ارايه مي شود. با استفاده از روشهاي كريستالوگرافي XRD وSEM  و ملاحظات نوري رشد لايه هاي بلوري سيليكان بر روي شيشه مطالعه گرديد و رشد افقي به اندازه 1.5ميكرومتر بر ساعت به دست آمد. علاوه بر روش فوق و به منظور حذف فلز به عنوان هسته آغاز كننده رشد كريستالي از ژرمانيم به عنوان هسته بلورينه كردن در حضور اشعه ماوراي بنفش استفاده شده است. در ضمن براي نخستين بار رشد لايه پلي كريستال ژرمانيم بر روي پلاستيك گزارش مي شود. مطالعه خواص بلوري ژرمانيم با تكنيكXRD  و SEM ادعاي فوق را تاييد ميكند.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

اخوان فومنی، آ.، و رضایی، ل.، و مهاجرزاده، س.، و اصل سلیمانی، ا. (1380). روش جدید رشد افقی کریستال سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک بر روی شیشه. دانشور پزشکی, 9(37), 25-32. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=28177



Vancouver : کپی

اخوان فومنی آرش، رضایی لیلا، مهاجرزاده سیدشمس الدین، اصل سلیمانی ابراهیم. روش جدید رشد افقی کریستال سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک بر روی شیشه. دانشور پزشکی. 1380 [cited 2021August02];9(37):25-32. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=28177



IEEE : کپی

اخوان فومنی، آ.، رضایی، ل.، مهاجرزاده، س.، اصل سلیمانی، ا.، 1380. روش جدید رشد افقی کریستال سیلیکان برای ساخت ترانزیستورهای لایه نازک بر روی شیشه. دانشور پزشکی, [online] 9(37), pp.25-32. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=28177.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 95 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی