برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
 
عنوان مقاله: 

ترانزيستور اثر ميدان فلز- نيمه هادي در تکنولوژي سيليسيم روي عايق با استفاده از يک تکه اکسيد اضافي در کانال براي کاربردهاي توان و فرکانس بالا

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* ایران، سمنان، دانشگاه سمنان، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
 
چکیده: 

در اين مقاله يک ساختار جديد از ترانزيستور اثر ميداني فلز نيمه هادي در تکنولوژي SOIمعرفي مي شود که مشخصات DCو فرکانسي بهتري نسبت به ساختارهاي متداول دارد. ايده اصلي مقاله بر مبني تغيير چگالي حامل ها توسط يک تکه اکسيد اضافي چسبيده به لايه مدفون اکسيد در سمت درين است. بهبود عملکرد قطعه توسط شبيه ساز دوبعدي بررسي مي شود. در ساختار پيشنهادي ولتاژ شکست از 13V در ساختار متداول به 19V در ساختار جديد افزايش يافته و بهبودي حدود %47 داشته است لذا توان ماکزيمم ساختار از 0.19 W/mm به 0.25 W/mm بهبود يافته است. همچنين به دليل کاهش خازن گيت- درين و خازن گيت- سورس مشخصه هاي فرکانسي از جمله فرکانس قطع و ماکزيمم فرکانس نوسان و نويز بهبود يافته است. نتايج نشان مي دهد که ساختار پيشنهادي مشخصه هاي توان و فرکانسي بهتري نسبت به ساختار متداول ترانزيستورهاي اثر ميداني فلز- نيمه هادي در تکنولوژي SOI را دارا است.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

اروجی، ع.، و رمضانی، ز.، و رحیمی فر، ع. (1395). ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز), 46(4 (پیاپی 78)), 1-6. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=277362



Vancouver : کپی

اروجی علی اصغر، رمضانی زینب، رحیمی فر عاطفه. ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز). 1395 [cited 2021November29];46(4 (پیاپی 78)):1-6. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=277362



IEEE : کپی

اروجی، ع.، رمضانی، ز.، رحیمی فر، ع.، 1395. ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق با استفاده از یک تکه اکسید اضافی در کانال برای کاربردهای توان و فرکانس بالا. مهندسی برق (دانشکده فنی دانشگاه تبریز), [online] 46(4 (پیاپی 78)), pp.1-6. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=277362.



 

 
بازدید یکساله 289 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی