برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
زمستان 1389 , دوره  8 , شماره  23 ; از صفحه 19 تا صفحه 24 .
 
عنوان مقاله: 

طراحي و شبيه سازي يک ترانزيستور SOI-MOSFET چند لايه اي براي بهبود اثرات خودگرمايي

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان
 
چکیده: 
اين مقاله طرح جديدي براي ساختار ترانزيستورهاي SOI-MOSFET به عنوان راه کاري مناسب براي کاهش اثرات مخرب پديده خودگرمايي ارائه مي دهد. ايده اصلي در ارائه اين ساختار نوين، استفاده از ماده Si3N4 مي باشد که داراي هدايت گرمايي بيشتري نسبت به اکسيد سيليسيم است. همچنين به کمک شبيه سازي دو بعدي٬ عملکرد اين ساختار مورد تجزيه و تحليل قرار گرفته است. نتايج به دست آمده نشان مي دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لايه اي مي تواند نقش به سزايي در انتقال گرما به لايه هاي زيرين لايه مدفون داشته و از افزايش گرما در کانال جلوگيري نمايد.
 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

اروجی، ع.، و حیدری، س. (1389). طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی. مدل سازی در مهندسی, 8(23), 19-24. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=177308



Vancouver : کپی

اروجی علی اصغر، حیدری سارا. طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی. مدل سازی در مهندسی. 1389 [cited 2021December07];8(23):19-24. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=177308



IEEE : کپی

اروجی، ع.، حیدری، س.، 1389. طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خودگرمایی. مدل سازی در مهندسی, [online] 8(23), pp.19-24. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=177308.



 

 
چکیده انگلیسی بازدید یکساله 241 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی