6 SID.ir | يك سلول پنج ترانزيستوري جديد SRAM براي كاربردهاي با سرعت زياد و تراكم بالا
برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

 
عنوان مقاله: 

يك سلول پنج ترانزيستوري جديد SRAM براي كاربردهاي با سرعت زياد و تراكم بالا

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
 
چکیده: 

در اين مقاله به منظور بهبود سرعت و تراكم SRAMها، يك سلول پنج ترانزيستوري جديد CMOS ارايه شده است. از اين سلول جديد مي توان در توليد SRAMها با تراكم بالا و سرعت زياد استفاده كرد. سلول جديد از يك bit-line در طول عمليات خواندن و نوشتن استفاده مي كند و داده خود را با استفاده از فيدبك مثبت و جريان نشتي ترانزيستورها بدون استفاده از سيكل تازه سازي نگهداري مي كند. در قوانين طراحي Layout يكسان سلول جديد 18 درصد مساحت كمتري نسبت به سلول شش ترانزيستوري پايه اشغال مي كند و در شبيه سازي هاي انجام شده توسط HSPICE 2008 در تكنولوژي 0.25mm سرعت سلول جديد 27 درصد از سلول شش ترانزيستوري پايه بيشتر است. همچنين نتايج تحليلي به دست آمده در اين مقاله دلالت بر افزايش سرعت سلول جديد نسبت به سلول شش ترانزيستوري پايه دارند.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
-
 
ارجاعات: 
  • ندارد
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط: 
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 

  چکیده انگلیسی بازدید یکساله 88
 
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی