مطالعه اي را براي به دست آوردن نماي فراواني فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحي و به منظور تکميل مطالعات مشابه درمورد بر(B) شروع کرده‌ايم. کشت فراسطحي فسفر و بر، از نظر مطالعه، طراحي و ساخت تراشه هاي الکترونيک با چگالي زياد اهميت فراوان دارند. در اين مقاله، گزارشي از چگونگي اندازه گيري نماي فراواني فسفر با استفاده از ترکيب طيف نگاري جرمي، زمان پرواز يون ثانويه (TOF-SIMS) و تجزيه فرايند هسته اي 31P(α,P)34S تهيه شده است. با اين که سطح مقطع اين فرايند هسته اي کوچک است، امکان محسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سيليسيوم در عمق کمتر از nm 20 را ايجاد نموده ايم. به اين منظور دو مجموعه از نمونه هاي سيليسيوم را که درآن فسفر کشت شده بود تهيه کرديم. در يک مجموعه از نمونه ها، فسفر به مقدار 1´1014cm-2 تا 3´1015cm-2 با انرژي 8keV و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار 1´1013cm-2 تا 1´1015cm-2 با انرژي keV 1 تا keV 30 کشت شده است. در اين مطالعه اثري از کنش خود به خودي ديده نشد.