برای اطلاع از آخرین مقالات علمی و اخبار کرونا(COVID-19) کلیک کنید

مشخصات مقاله

عنوان نشریه: 
 
اطلاعات شماره: 
پاييز 1382 , دوره  - , شماره  13 ; از صفحه 99 تا صفحه 111 .
 
عنوان مقاله: 

ترانزيستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درين كم غلظت و ناخالصي دلتا گونه

 
نویسندگان: 
 
آدرس:  
* بخش مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس تهران
 
چکیده: 

در اين مقاله ساختار جديد δ-doped LDD HMESFET را معرفي و شبيه سازي مي كنيم. يكي از راههاي افزايش سرعت حامل در كانال در مجاورت سورس ترانزيستور مسفت، استفاده از ساختار نا همگون HMESFET است؛ يعني از سورس AlxGa1-x As در مجاورت كانال  GaAsاستفاده مي شود. با افزايش x (در صد موليAl ) مي توان ناپيوستگي گاف نوار (ΔEG) در فصل مشترك سورس - كانال را افزايش داد و سرعت حامل را در ناحيه ميدان ضعيف زياد كرد. اما افزايش بيش از حد x، مراكز DX را افزايش داده موجب كاهش جريان مي شود. لذا براي اجتناب از افزابش مراكزDX ، بايد به روش ديگري روي آورد. رويكرد جايگزين پيشنهاد شده در اين مقاله استفاده از لايه هاي نا خالصي دلتا گونه (δ-doping) در فصل مشترك سورس - كانال است. اين كار موجب افزايش ناپيوستگي در گاف نوار در فصل مشترك سورس - كانال مي شود. افزايشΔEG ، معادل افزايش درصد مولي Al است. در اين مقاله با شبيه سازي ساختار پيشنهادي با درصد مولي Al كمتر از اندازه استفاده شده در ترانزيستور مرجع [1]، نشان مي دهيم كه متوسط سرعت الكترون، بدون در نظر گرفتن مراكزDX ، در دو ترانزيستور برابر است.

 
کلید واژه: 

 
موضوعات مرتبط: 
 
 
مقالات نشریه ای مرتبط:  
 
مقالات همایشی مرتبط: 
 
ارتباط خیلی زیاد ارتباط زیاد مرتبط ارتباط کمتر
 
ارجاعات: 
  • ثبت نشده است
 
استنادات: 
  • ثبت نشده است
 
+جهت ارجاع به این مقاله کلیک کنید(Cite).
APA : کپی

مروج فرشی، م.، و ثقفی، ک.، و احمدی، و. (1382). ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه. فنی و مهندسی مدرس, -(13), 99-111. https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=1361



Vancouver : کپی

مروج فرشی محمدکاظم، ثقفی کامیار، احمدی وحید. ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه. فنی و مهندسی مدرس. 1382 [cited 2021September19];-(13):99-111. Available from: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=1361



IEEE : کپی

مروج فرشی، م.، ثقفی، ک.، احمدی، و.، 1382. ترانزیستور مسفت با ساختار ناهمگون همراه با درین کم غلظت و ناخالصی دلتا گونه. فنی و مهندسی مدرس, [online] -(13), pp.99-111. Available: https://www.sid.ir/fa/journal/ViewPaper.aspx?id=1361.



 

 
بازدید یکساله 167 مباني نظري و تجربي ونداليسم: مروري بر يافته هاي يك تحقيق
 
آخرین های بلاگ
ورود به بلاگ مرکز اطلاعات علمی